型号 | SI8497DB-T2-E1 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET P-CH D-S 30V MICROFOOT |
SI8497DB-T2-E1 PDF | |
代理商 | SI8497DB-T2-E1 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 13A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 53 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 49nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1320pF @ 15V |
功率 - 最大 | 13W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UFBGA |
供应商设备封装 | 6-microfoot |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SI8497DB-T2-E1TR |